Número do Produto do Fabricante:
IPI023NE7N3 G
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPI023NE7N3 G-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventário:
12802867
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IPI023NE7N3 G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
OptiMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
75 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.8V @ 273µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
14400 pF @ 37.5 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO262-3
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
IPI023N
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IFEINFIPI023NE7N3 G
2156-IPI023NE7N3 G-IT
IPI023NE7N3 G-DG
IPI023NE7N3G
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPP023NE7N3GXKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
460
NÚMERO DA PEÇA
IPP023NE7N3GXKSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.96
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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